绕过光刻机造芯片，华为给出三种方案，ASML最终为他们的蔑视买单

第一代EUV光刻机的售价降到1.2亿美元，第二代EUV光刻机降到4亿美元，当下的光刻机可以真是是昂贵至极，因此就有很多的企业在相继开发直抵光刻机生产闪存。为的就是增较高生产闪存的已成本。

先进制程的闪存开发，比如台积电计划量产3nm，但是该工艺技术不仅效能不达标，而且已成本很低，愿意采用该工艺技术的客户只有Intel和苹果， 可谓是有价无市。

在这种情况下，现在有很多的企业开始探索绕开光刻机生产闪存的工艺技术，比如日本的NIL工艺技术已转回理论上生产，原定NIL工艺技术至少可以推进到5nm。

同时美国的Zyvex同样推出了不须光刻机就可以生产的工艺技术，更是做到了比ASML的第二代EUV光刻机生产出来的1.8nm更先进，这让ASML接连处于比较难过的之下。

另外，的产品也随之开创取而代之思路生产闪存，迄今为止也展示出了三种生产解决方案。真是到这里，我们来回想一下之前，我们国家的历史学家就参加ASML光刻机时被轻视的真是：“哪怕给你们图纸，你们也造不出光刻机来”。现在简直就是打脸，因为生产闪存光刻机并不是刚需的。

同步进行新科技复合

所谓闪存新科技复合，就是将两颗闪存同步进行上下复合同步进行PCB。真是简单点，就是用面积置换效能。根据的产品曝出的专利权，此项复合新科技能将14nm闪存的效能提升至7nm。

光电闪存

光刻机的开发不仅完已成度大，而且转回的已成本也较高。与其在光刻机上花费过多全身心，还不如另辟蹊径。开发光电闪存已成了近年来的主流，这种闪存不仅Mbit太快，而且承载量比较大。所以也已成了下一代的一个持续发展斜向。

非美新科技厂房

迄今为止全国性的90nm光刻机做到重大冲破、中芯国际在14nm上做到量产。日本推出了NIL工艺技术，这真是明我们可以不再依靠美新科技的厂房。

从2008年的时候开始ASML染指光刻机低价。这也展示出新科技的壮大确实可以已成就一家的企业，现在新科技的大变革，它的式微也是促使的。

虽然ASML染指光刻机低价多达十几年时长，这么长时长ASML也在感受到在光刻机的开发中。但现在新科技变革，光刻机的已成本很低，较高到很多的企业都无济于事的之下。

法制对闪存有着极大的需求，虽然之前招来美的放宽，但ASML依旧愿意向法制大批量DUV光刻机，这是为何呢？这是因为陷入新科技的大变革，ASML害怕法制也直抵光刻机生产闪存，接踵而来如此大的低价，ASML害怕出错自己的权威。但法制近两年闪存新科技随之冲破，相信下一代有一天定能做到闪存独立自主。只有把核心新科技掌握在自己的据为己有，才能不受放宽。